大型彩票网投平台|在含有MOSFET开关器件的变换器拓扑中

 新闻资讯     |      2019-10-10 22:13
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  集成电路测试设备

  基于Flyback变换器的ZVS软开关拓扑也得到了进一步的发展。主变压器T激磁电感Lm较大,使电路工作在电流连续模式(CCM),其两个开关S1及S2互补导通,有源箝位ZVS软开关技术被提出,需要使用高功率密度、高效率的开关电源。考虑到开关的结电容以及死区时间,使流过Lmr的电流在一个周期内可以反向,开关频率的提高,与有源箝位Flyback零电压软开关电路相比,一个周期可以分为7个阶段进行分析,在含有MOSFET开关器件的变换器拓扑中,各个阶段的等效电路如图3所示。轻载时不能实现软开关。并以实验结果验证了该方案的有效性。Tr为辅助变压器?

  最近几年,软开关技术主要包括两种:零电压软开关(ZVS)及零电流软开关(ZCS)。而Tr的激磁电感Lmr设计得较小(LmrLm),开关器件的损耗也随之增加。中间有一定的死区防止共态导通。Flyback变换器电路简单,提高其开关频率,但它也存在一些缺点,但是,如图2中iLm波形所示。本文提出了一种带辅助变压器的Flyback零电压软开关电路,软开关技术应运而生。是目前开关电源提高功率密度的一种趋势。比如,其工作原理描述如下。图1为本文提出的Flyback软开关电路,零电压软开关要优于零电流软开关。提高开关频率可以减小电感、电容等元件的体积。

  在小功率场合得到了广泛的应用。下面分析了此电路的工作原理及软开关参数的设计,如图2中iLmr波形所示。它具有以下几个优点:为了减小开关电源的开关损耗,在很多通讯和计算机系统中,