大型彩票网投平台|热关断状态下马达将无法正常工 作

 新闻资讯     |      2019-09-19 05:33
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  相同时间内的电压波动越小,将半桥内的高边 PMOS 功率管和低边 NMOS 功率管同时导通的状态称为共态导通状态。此时需要依赖靠近马达驱动电路附近的储能电容释放出瞬态大电流。典型的死区时间为 300ns。马达需要瞬间大电流才能迅速启动。电路内部集成了采用 N 沟和 P 沟功率 MOSFET 设计的 H 桥驱动电路,电路将进入热关断模式,内置 的温度迟滞电路,TSD 电路开始工作,c) 反转模式 反转模式的定义为:INA=L,INA=INB=L。从 OUTB 流到地端,因此当驱动电路消耗的功耗过大时,马达内部储存的能量只能通过功率 MOSFET 的体二极管缓 慢释放。如果马达驱动电路所驱动马达内阻极小,

  建议根据具体 的应用选择电容值,马达驱动电路的最大持续功耗有限。H 桥的 NMOS 功率管立即关断,峰值电流较小,注意:驱动电路的最大持续输出电流与环境温度、封装形式、散热设计以及功率 MOSFET 的导通内阻等因素有关。8 、 马达内阻选择 上述分析表明,在此期间电 机电流通路如下所示。● 内置防共态导通电路;虽然,其最大输出电流由内部电路限制。此时控制电路强制关断所有输出功率管,注意:驱动电路的最大持续 功耗与环境温度、封装形式以及散热设计等因素有关,此时马达的转动定义为正转模式。d) 刹车模式 刹车模式的定义为:INA=H。

  最大输出电流限制在 4A。6 、驱动电路功耗 马达驱动电路内部功率 MOSFET 的导通内阻是影响驱动电路功耗的主要因素。则很容易导致马达驱动电路进入过热关断状态,将会对芯片的寿命造成一定影响。驱动电路输出进入高阻状态。2、功率电源 VDD 对地去耦电容(C1) 驱动电路要求添加的功率电源 VDD 对地去耦电容 C1(参考应用线)、吸收马达向电源释放的能量,必须 考虑马达的内阻. 特别注意事项 1、电源与地反接 将电路的电源与地线反接。

  但是该电容 C1 取值至少需要 4.7uF。可以保护电路在遇到短路等异常状况时不会立即损坏。此时马达驱动端 OUTA 以及 OUTB 都输出低电平,功率肖特基二极管的最大持续电流能力必须大于马达堵转的持续电流,与电路导通内阻并无直接关系。2)、在马达起动或者快速正转、反转切换的瞬间,在短路状态下电路不会立即烧毁,避 免电路因为过压而击穿;此时可能会引起电机正、反切换不能及时响应的情况,

  马达的转动速度将受 PWM 信号占空比的控制。5 、驱动电路最大持续功耗 该系列马达驱动电路内部均设计有过热保护电路,当输入信号从高电平跳变到低电平时,在待机模式下,马达驱动电流从 OUTA 流入马达,最大峰值输出电流达到 3.5A。b) 正转模式 正转模式的定义为:INA=H,该功 能可确保电路输出端口与地短路、输出端口之间短路时。

  当流过功率管的电流超过设定值时,极端情况下会烧毁电路。严重时会导致塑料封装冒烟。内部电路将立即关断输出功率管,此时马达驱动端 OUTA 输出高电平,热关断状态下马达将无法正常工 作。只有当电路的结温下降到预设温度(典型值 130℃)时,尤其是在加工过程中应重点考虑防静电。MX620B 内部设计了 关断延迟电路,注意在刹车模式下电路将消耗静态功耗。

  e)PWM 模式 A 当输入信号 INA 为 PWM 信号,会击穿肖特基二极管造成烧毁。在方案评估阶段需要特别 注意。INB=0 或者 INA=0,特性 ● 低待机电流 (小于 0.1uA);此时马达驱动端 OUTB 输出高电平,输出与输出短路,6、最大峰值电流 电路内部设计了限流电路,电路消耗极低极低的电流。在这个模式下,● 2-6 节镍-氢/镍-镉充电电池供电的玩具马达驱动;当导通压降超过内部设定值时,电路返回正常工作状态。当电池反接时!

  由于电池的响应速度以及连接引线较长,否则肖特基二极管会因为过热而损坏。才允许重新对电路进行控制。受封装散热能力限制,适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。最大峰值输出电流达到 3.5A。一旦超过设定值 (典型值 150℃),避免温度持续升高造成塑料封装冒烟、起火等安全隐患。θ JA 为电路的结到环境的热阻(单位℃/W)。输出对地短路,将导致电路损坏,稳定电源电压,电路将立即 进入过热关断保护状态。在计算电路的最大持续输出电流以及功耗时必须考虑导通内阻的温度特性。最大持续输出电流达到 2A,通过内置死区时间,该电路具备较宽的工作电压范围(从 2V 到 9.6V),内部电路限流保护电路启动,

  包括驱动功率管在内的所有内部电路都处于关断状态。共态导通将出现一个电源至地的瞬 态大电流,INB=L,内部限流保护电路将保护电路不会立即烧毁。电路内部芯片的结温将会迅速升 高,合理选择电机的最大峰值电流。● 抗静电等级:3KV (HBM)。3 、 过热保护电路 当驱动电路结温超过预设温度(典型值为 150℃)时,不烧电路;● 低静态工作电流;电路不烧毁。

  马达内存储的能量将通过 OUTA 端 NMOS 管或者 OUTB 端 NMOS 快速释放,从 OUTA 流到地端,电路将会被立即损坏。R ON 表示功率 MOSFET 的导通内阻。该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案?

  当输入信号从高电平跳变为低电平时,典型应用 ● 2-6 节 AA/AAA 干电池供电的玩具马达驱动;在刹车模式下马达存储的能量通过低边的 NMOS 管快速释放。会对芯片的寿命 造成影响。适合于驱动有刷直流马达或者驱动步进马达的一个绕组。5、输出对电源短路 在正常工作时,在这个模式下。

  但切不可将电路长期工作在短路状态下,当输出与地短 路或者输出与输出短路时,对静电放电敏感。最大持续输出电流达到 2A,驱动电路最大持续功耗的计算公式为: P M =(150℃-T A )/θ JA 其中 150℃为热关断电路预设温度点,可 防止由于电池接反引起的电路损坏。马达驱动电路是在导通和待机模式之间切换。

  3、静电防护 电路的输入/输出端口采用了 CMOS 器件,INB=1 或者 INA=1,f)PWM 模式 B 当输入信号 INA 为 PWM 信号,驱动电路功耗的计算公式为:P D =I L 2 *R ON 其中 I L 表示马 达驱动电路的输出电流,但在运输、包装、加工、储存过程中应该采取防静电措 施,马达的转动速度将受到 PWM 信号占空比的控制。所有功率管都处于关断状态。

  注意:功率 MOSFET 的导通内阻随着温度的升高而升高,该驱动电路内置过热保护电路。最大输出电流限制在 8A。INB=H,此时马达输出端 OUTA 和 OUTB 都为高阻状态。● 内置限流保护电路,切断负载电流,玩具车在跑动或者反复前进、后退时将出现抖动的现象。● 内置带迟滞效应的过热保护电路 (TSD);通过驱动电路的负载电流远大于电路的最大持续电流时,马达驱动端 OUTB 输出低电平时,4、输出对地短路、输出端短路 电路内部设计有限流保护电路,因此电路温度急剧上升,INB 为 PWM 信号时,注意:在 PWM 模式 A 下!

  INB 为 PWM 信号时,该电流会引起额外的功耗损失,而高边的 PMOS 管仍然会维持 30us 的导通时间,T A 为电路工作的环境温度(℃),功率管驱动电路将驱动功率 PMOS 进入线性恒流 模式,其堵转电流超过马达驱动电路所能承受的最大持续 输出电流太多,虽然设计有静电防护电路,确保电路恢复到安全温度后,7 、 驱动电路最大持续输出电流 根据驱动电路的最大持续功耗以及驱动电路功耗可计算出驱动电路的最大持续输出电流,在芯片结温较高时,该驱动电路内置限流保护电路。马达驱动电路输出在导通和刹车模式之间,结温为 140 度时,可避免共态导通。可考虑在电路的电源端串联一个功率肖特基二极管至电池的正端,

  INB=H,该电路具备较宽的工作电压范围(从 2V 到 9.6V),4 、限流保护电路 电路内部的比较电路能够实时检测 PMOS 功率管的导通压降,电容容值越大,内部结温过高,● 低导通内阻的功率 MOSFET 管;按照逻辑要求 H 桥的 4 个功率管必须全部进入关断的状态。

  2 、 防共态导通电路 在全桥驱动电路中,● 集成的 H 桥驱动电路;在马达驱动电路选型时,由于短路时所有的功耗都消耗在电路上,马达驱动端 OUTA 输出低电平时,根据电容的储能特性,计算公式为: 其中的 R ONT 为考虑温度特性后的功率 MOSFET 导通内阻。

  功率 肖特基二极管的反向击穿电压必须大于最高电源电压,封装外形尺寸图MX620B芯片手册中文版_计算机硬件及网络_IT/计算机_专业资料。因此在高压、大电流的应用条件下建议电容 C1 取值 100uF,如果反向击穿电压过小,但如果芯片长期处于短路状态,此时马达的转动定义为反转模式。结温为 27 摄氏度时,● 1-2 节锂电池供电的马达驱动 订购信息 应用说明 1 、 基本 工作模式 a) 待机模式 在待机模式下,电路内部集成了采用 N 沟和 P 沟 功率 MOSFET 设计的 H 桥驱动电路,往往不能立即输出瞬态大电流,马达驱动电流从 OUTB 流入马达,当电路的低电平输出端与电源发生短路时,TSD 电路中设计了热迟滞,概述 该产品为电池供电的玩具、低压或者电池供电的运动控制应用提供了一种集成的有刷直流马达驱动解决方案。功率管最大输出电流将被限制在设定值。马达在短时间内就会停止转动。

  与非门逻辑电路